1
|
Авдиенко А.А.
|
Физико-технические принципы построения, разработки и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров. 2004
|
2
|
Аккулщв Р.И.
|
Исследование и разработка технических норм и методик для проектирования и эксплуатации пассиковых агрегатов межооперационных траспартных систем микроэлектроники. 2007
|
3
|
Акуленок М.В.
|
Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур « кремний на диэлектрике » для совершенствования технологии СБИС. 1990
|
4
|
Алексанян А.О.
|
Ионообменное легирование селенида цинка для получения световодных элементов интегральной оптики. 1990
|
5
|
Алексейчук А.В.
|
Исследование процесса изготовления кантилевера с улучшенными характеристиками для сканирующей зондовой микроскопии. 2007
|
6
|
Алкаев А.Н.
|
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития. 2004
|
7
|
Андронова Р.Е
|
Разработка стекловидных молибденсодержащих материалов для толстопленочных резистаров. 1987
|
8
|
Антоненко К.И
|
Голографическая диагностика гозофазных процессов микроэлектроники. 2000
|
9
|
Анухин А.И
|
Зонная перекристаллизация низкотемператуных термоэлектрических материалов. 1991
|
10
|
Апраксин Д.В.
|
Разработка, исследование и моделирование процессов изготовления интегрально-оптических элементов в кристаллах ниобата лития. 2003
|
11
|
Артемов Е.И
|
Микроструктуры и свойства тонких пленок аморфного гидрогенезированного сплава кремния с углеродом. 2004
|
12
|
Балабанов В.Т
|
Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации. 2008
|
13
|
Баровский И.В
|
Газофазная кристаллизация соединений III-Y с использованием гидридов (На примере GaAs и AIN). 1996
|
14
|
Бежанова И.Ф.
|
Разработка условий жидкофазной эпитакши гетероструктур на основе твердых растворов A1GaInPAs для излучателей видимого света. 1988
|
15
|
Белов А.Н.
|
Формирование и исследование свойств нитевидных нанокристаллов в матрице пористого анодного оксида алюминия. 2005
|
16
|
Бойко А.Н.
|
Конструктивно - технологические особенности изготовления микроэлектромехнических устройств торсионного типа. 2006
|
17
|
Борзистая Е.Л.
|
Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga(x)In(1-x)P(y) As(1-y)/InP для излучателей с λ ≥1.6 мкм. 1998
|
18
|
Бритвин А.А.
|
Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводинковых и диэлектрических материалов свободным абразивом. 2006
|
19
|
Бритков О.М.
|
Разработка конструкций и технологий изготовления микро электромеханических приборов в герметичном исполнении. 2009
|
20
|
Буздуган А.А.
|
Исследование причин деградации и разработка подходов к повышению стабильности наноразмерных межсоединений СБИС. 2008
|
21
|
Бузынин Ю.Н.
|
Получение монокристалических лент кремния по способу Степанова. 1987
|
22
|
Вишникин Е.В.
|
Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем.2006
|
23
|
Воробьев В.А.
|
Материаловедческие аспекты разработки материалов для диэлектрических слоев ГИС на металлодиэлектрических подложках. 2001
|
24
|
Гаврилов С.А.
|
Особенности кинетики электрохимического формирования и свойства слоев пористого кремния. 1997
|
25
|
Гаврилов С.А.
|
Процессы электрохимического формирования твердотельных наноструктур. 2001
|
26
|
Гладких Е.Г.
|
Исследование и совершенствование технологии производства пластин кремния диаметром 100 и 150 мм с улучшенными параметрами для СБИС. 1998
|
27
|
Голубская И.В.
|
Формирование легированных и двухслойных диэлектрических пленок на поверхности полупроводниковых соединений для технологии интегральных схем. 1985
|
28
|
Гончарова Н.В.
|
Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра. 2002
|
29
|
Горбулин Г.Л.
|
Фотопроводимость и плотность состояний в а-Si:H и сплавах на его основе. 2001
|
30
|
Горшкова Е.В.
|
Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе а-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводныков системы Ge-Sb-Te. 2010
|
31
|
Горюнов И.П.
|
Технологические аспекты получения структур кремния на стекловидной диэлектрической подлошке методом переноса эпитаксиального слоя. 1987
|
32
|
Громов Д.Г.
|
Исследование и разработка технологии получения термостабильных слабопроникающих контактных системы кремниевых ИС. 1996
|
33
|
Громов Д.Г.
|
Материалы и процессы формирования многослойной метализации кремниевых и СБИС. 2000
|
34
|
Гульгазов В.Н.
|
Разработка условий жидкофазной эпитаксий гетерострктур на основе твердных растворов Ga In As Sb для оптоэлектронных устройств. 1987
|
35
|
Данилкин Е.В.
|
Исследование и оптимизация процесса реактивноионного травления углублений в кремний для формирования мелкощелевой изоляций. 2008
|
36
|
Дворников С.А.
|
Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов плёнок на их основе, полученых золь-гель методом. 2001
|
37
|
Дикевич А.А.
|
Разработка и исследование волоконно-оптических датчиков влажности газов. 2009
|
38
|
Добрынин А.В.
|
Разработка физико-химических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия твердных растворов на его основе. 1986
|
39
|
Добрынин А.В.
|
Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галиия из газобой фазы. 2001
|
40
|
Дьячков С.А.
|
Разработка и исследование технологический процессов анодного сращивания полупровотниковых стурктур. 2000
|
41
|
Емельянов Ю.А.
|
Оптимизация технологии изготовления мощных транзисторов на основе эпитаксиальных структур кремния. 1986
|
42
|
Епимахов И.Д.
|
Оптимизация условий выращивания и исследование «третьего « компонета в процессах получения совершенных монокристалов кремния методом Чохральского для СБИС. 2003
|
43
|
Жлезнякова А.В.
|
Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких плёнок халькогенидов металла. 2007
|
44
|
Зайдман С.А.
|
Разработка и оптимизация технологии изготовления многоуровневых коммутационных плат на большеразмерных металлодиэлектрических подоложках. 1992
|
45
|
Залкинд Я.Г.
|
Физико-механические свойства кремиевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники. 2005
|
46
|
Зиновьев Д.В.
|
Разработка интегральных термосенсоров на основе монокристаллической кремниевой фольги и исследование их характеристик. 1999
|
47.
|
Ильяшева Е.В.
|
Разработка стекловидного материала с низкой диэлектрической проницаемостью для толстопленочных элементов ГИС. 1999
|
48.
|
Калугин В.В.
|
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур на изоляторе. 2001
|
49.
|
Калугин В.В.
|
Физико-технологические спасовы получения многослойных структур для ИС и элементов МЭМС. 2008
|
50.
|
Каплунов И.А
|
Выращивание, оптические свойства и дислокационная структура кристаллов германия для инфракрасной оптики. 2006
|
51.
|
Караев А.К.
|
Разработка методов улучшения электрических характеристик толстопленочных резисторов на основе наноразмерных части диошда рутения и свинцово-боро-шликатного стекла.2006
|
52.
|
Каратунов Ю.В
|
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве проборов электронной техники. 2003
|
53.
|
Каримов Ф.Ч.
|
Разработка технологии получения текстркрованных пленок теллура, висмута и храма для анизотропных темаэлектрических преобразотелей. 1985
|
54.
|
Киселев В.А
|
Электрохимическое формирование диэлектрических и проводниковых слоев для технологии электронных устройств. 1986
|
55.
|
Клеванова Н.А
|
Влияние неоднородностей эпитаксиальных слоев асернида галлия на свойства анодных оксидных пленок и электрофизические параметры полупроводниковых приборов. 1984
|
56.
|
Климовицкии А.Г.
|
Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня. 2004
|
57.
|
Ковалев А.А.
|
Научные основы создания ресурсосберегающих технологий очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов. 2007
|
58.
|
Ковалев А.А.
|
Научные основы создания ресурсосберегающих технологии очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов. 2007
|
59.
|
Козлов Ю.Ф.
|
Технологические основы производства кремниевых пластин и структур для интегральных схем детекторов ядерных частиц. 2002
|
60.
|
Коркишка Ю.Н.
|
Ионообменное легирование ниобата лития для получения светаводных элементов интегральный оптики. 1987
|
61.
|
Краснов Д.М.
|
Разработка технологии изготовления пленочных анизотропных термоэлектрических преобразователей на основе медноникелевых сплавов. 1988
|
62.
|
Короленко Е.В.
|
Разработка методического и приборного обеспечения испытании радиоэлектронных средств на искустические воздействия. 1998
|
63.
|
Копейнки А.Н.
|
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники. 2003
|
64.
|
Криворучка М.М.
|
Повышение износостойкости деталей технологического оборудования методами имено-плазменного населения. 1987
|
65.
|
Куцев М.В.
|
Исследование методов повышение качества полупроводникого кремния при выращивание и обработки монокристаллов. 2000
|
66.
|
Левченко В.М.
|
Упруго-пластические и разрывные реакции при механической обработке арсенида галлия. 1992
|
67.
|
Локтев Д.В.
|
Разработка конструкции и технологии микроэлектронных приборов толного измерения параметров газовых сред. 2007
|
68.
|
Лысенко Л.Н.
|
Исследование нейтральных примесей компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния. 2001
|
69
|
Люкшин Ю.А
|
Разработка и исследование способов снижения привношмого аэрозольного загрязнения манипуляционным оборудованием микроэлектроники .1990.
|
70
|
Мазуров.А.В
|
Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе а-Si:H и его сплавов. 2004.
|
71
|
Макаров.А.С
|
Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании. 2000.
|
72
|
Макеев М.Х
|
Влияние третьего компонента на распределение дефектов и примесей в бездислокационных монокристаллах кремния для интегральных схем. 1998.
|
73
|
Мальвинова. О.В
|
Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений А В современной точности обработки. 2003.
|
74
|
Мальцев. В.П
|
Адгезия фоторезистор и её влияние на процессы фотолитографии. 1999.
|
75
|
Мареха В.Н
|
Физико-химические основы технологии электроннофоретического нанесения стекловидных покрытий на металлы для изделий электронной техники. 1986.
|
76
|
Масленников. Е.Н
|
Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магниякристаллах ниобама лития. 2004.
|
77
|
Маслов. А.И
|
Разработка способа и технологии нанесения углеродных алмазоподобных покрытий на спецоснастку и изделия электронной техники. 1987.
|
78
|
Миркурбанов Х.А
|
Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нём теплофизических и физико-механических процессов. 2005.
|
79
|
Мьо Хейн Зо
|
Разработки и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках не круглой формы. 2008.
|
80
|
Назаров. Н.Г
|
Химическая и фотоэлектрохимическая обработка полупроводниковых соединений для технологии электронных приборов и интегральных микросхем. 1990.
|
81
|
Никитенко. В.А
|
Влияния имплантированных примесей на свойства диэлектрических покрытий полупроводниковых материалов. 1988.
|
82
|
Овчинников. В.А
|
Разработка и исследование технологического процесса , режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве. 2009.
|
83
|
Осипенкова. Н.Г
|
Исследование и разработка высокомарганцевых стекол для толстоплёночных резисторов, не содержащих драгоценных металлов. 1998.
|
84
|
Павлов. А.С
|
Исследование и разработка технологии и конструкции кремниевых солнечных элементов. 1997.
|
85
|
Подерин. Е.М
|
Разработка технологии изготовления и исследование многофункциональных интегрально-оптических элементов (МИОЭ).
|
86
|
Перелыгин. Н.З
|
Разработка и исследование технологии осаждения многокомпонентных стекловидных пленов методом ВЧ-магнетронного распыпения со смещением для БГИС АПОН 4-5 поколений. 1992.
|
87
|
Пискунова. М.Г
|
Влияние операции изготовления попупроводниковых приборов на свойства поверхности арсенида галлия. 1992
|
88
|
Попов. А. А
|
Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а- Si:H b сплавов на его основе. 1999
|
89
|
Райцын Е. Р
|
Создание пьезоэлектрических гетероструктур на основе нитрида алюминия методом реактивного испарения. 1987
|
90
|
Редин. В. М
|
Научные основы проектирования и эксплуатации межоперационных транспортных средств и чистых технологических объемов для производства изделий микроэлектроники .1992
|
91
|
Редичев . Е. Н
|
Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС. 2006
|
92
|
Рощин. В. М
|
Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы. 1997
|
93
|
Рощин. В. М
|
Формирование сверхтонких пленок и наногетерогенных структур на основе метода импульсной конденсации электроэрозинной плазмы. 2003
|
94
|
Русаков. Д. Н
|
Молекулярно - лучевая эпитаксия гетероэпитак сальных структур SiGe/Si. 2003
|
95
|
Рыгалин. Б.Н
|
Управление свойствами попупроводникого кремния на основе взаимодействия легирующих примесей в процессах выращивания и обработки кристаплов. 2004
|
96
|
Рыжов. М. В
|
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройства функциональной электроники. 2003
|
97
|
Рябышенков. А. С
|
Разработка методов расчета элементов рециркуляционных контуров в частых помещениях. 1994
|
98
|
Сазонов. Г. Ю
|
Микроструктурная неоднородность и термическая стабильность пленок а-Si:H и сплавов на его основе . 1997
|
99
|
Сазонова. Г. А
|
Разработка технологии обработки поверхности полупроводников и методик анализа химического состава оксидных пленок для производства интегральных схем. 1989
|
100
|
Самойликов. Р.В.
|
Исследование эксплуатационных характеристик теплообленных систем оборудования полупроводникового производства.2004
|
101
|
Семенин С.Н.
|
Иследование и разработка прогреиивний технологии прецизионных гибких полиимидных млейфов для высокоплотного монтажа.2006
|
102
|
Семенов О.Ю.
|
Разработка и исследование технологии изготовления структур “кретний на изоляторе” с применением избирательного химического травления.1996
|
103
|
Сергеева Ж.М.
|
Влияние взаммодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии.1994
|
104
|
Симунин М.М.
|
Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методам каталитического пиролиза этанола.2009
|
105
|
Степанюк В.В.
|
Исследование условий жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaInPAs/GaPAs для излучателей видимого спектрального диапазона.1998
|
106
|
Самойликов В.К.
|
Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния прозводства СБИС.1996
|
107
|
Тарасов Р.Ю.
|
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик прибаров и оборудования для высокоточных температурных технологий.2003
|
108
|
Терашкевич И.М.
|
Исследование и разработка технологии химической очистки пластин кремния для МЭМС и интегральных схем субмикронного уровия.2006
|
109
|
Тимошенков С.П.
|
Синтез диэлектрических многокомпонентных материалов в высокочастотной плазме и исследование их свойств.1994
|
110
|
Тимошеннов С.П.
|
Технология фармнрования структур “кремний на изоляторе”.2004
|
111
|
Турилин С.М.
|
Экспериментальные исследования и численное моделирование гозодинамических течений в процессах газофазной эпитаксии кремния.1996
|
112
|
Тюрнев Н.В.
|
Применение зондирующего СВЧ Электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников.2000
|
