05.27.06

MIET စာၾကည့္တိုက္ရွိ PhD, D.Sc သင္တန္းသားမ်ား၏ ေအာင္ျမင္စြာတင္သြင္းထားေသာ စာတမ္းမ်ား

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

05.27.06

1	Авдиенко А.А.	Физико-технические принципы построения, разработки и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров. 2004
2	Аккулщв Р.И.	Исследование и разработка технических норм и методик для проектирования и эксплуатации пассиковых агрегатов межооперационных траспартных систем микроэлектроники. 2007
3	Акуленок М.В.	Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур « кремний на диэлектрике » для совершенствования технологии СБИС. 1990
4	Алексанян А.О.	Ионообменное легирование селенида цинка для получения световодных элементов интегральной оптики. 1990
5	Алексейчук А.В.	Исследование процесса изготовления кантилевера с улучшенными характеристиками для сканирующей зондовой микроскопии. 2007
6	Алкаев А.Н.	Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития. 2004
7	Андронова Р.Е	Разработка стекловидных молибденсодержащих материалов для толстопленочных резистаров. 1987
8	Антоненко К.И	Голографическая диагностика гозофазных процессов микроэлектроники. 2000
9	Анухин А.И	Зонная перекристаллизация низкотемператуных термоэлектрических материалов. 1991
10	Апраксин Д.В.	Разработка, исследование и моделирование процессов изготовления интегрально-оптических элементов в кристаллах ниобата лития. 2003
11	Артемов Е.И	Микроструктуры и свойства тонких пленок аморфного гидрогенезированного сплава кремния с углеродом. 2004
12	Балабанов В.Т	Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации. 2008
13	Баровский И.В	Газофазная кристаллизация соединений III-Y с использованием гидридов (На примере GaAs и AIN). 1996
14	Бежанова И.Ф.	Разработка условий жидкофазной эпитакши гетероструктур на основе твердых растворов A1GaInPAs для излучателей видимого света. 1988
15	Белов А.Н.	Формирование и исследование свойств нитевидных нанокристаллов в матрице пористого анодного оксида алюминия. 2005
16	Бойко А.Н.	Конструктивно - технологические особенности изготовления микроэлектромехнических устройств торсионного типа. 2006
17	Борзистая Е.Л.	Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga(x)In(1-x)P(y) As(1-y)/InP для излучателей с  λ ≥1.6 мкм. 1998
18	Бритвин А.А.	Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводинковых и диэлектрических материалов свободным абразивом. 2006
19	Бритков О.М.	Разработка конструкций и технологий изготовления микро электромеханических приборов в герметичном исполнении. 2009
20	Буздуган А.А.	Исследование причин деградации и разработка подходов к повышению стабильности наноразмерных межсоединений СБИС. 2008
21	Бузынин Ю.Н.	Получение монокристалических лент кремния по способу Степанова. 1987
22	Вишникин Е.В.	Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем.2006
23	Воробьев В.А.	Материаловедческие аспекты разработки материалов для диэлектрических слоев ГИС на металлодиэлектрических подложках. 2001
24	Гаврилов С.А.	Особенности кинетики электрохимического формирования и свойства слоев пористого кремния. 1997
25	Гаврилов С.А.	Процессы электрохимического формирования твердотельных наноструктур. 2001
26	Гладких Е.Г.	Исследование и совершенствование технологии производства пластин кремния диаметром 100 и 150 мм с улучшенными параметрами для СБИС. 1998
27	Голубская И.В.	Формирование легированных и двухслойных диэлектрических пленок на поверхности полупроводниковых соединений для технологии интегральных схем. 1985
28	Гончарова Н.В.	Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра. 2002
29	Горбулин Г.Л.	Фотопроводимость и плотность состояний в а-Si:H и сплавах на его основе. 2001
30	Горшкова Е.В.	Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе а-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводныков системы Ge-Sb-Te. 2010
31	Горюнов И.П.	Технологические аспекты получения структур кремния на стекловидной диэлектрической подлошке методом переноса эпитаксиального слоя. 1987
32	Громов Д.Г.	Исследование и разработка технологии получения термостабильных слабопроникающих контактных системы кремниевых ИС. 1996
33	Громов Д.Г.	Материалы и процессы формирования многослойной метализации кремниевых и СБИС. 2000
34	Гульгазов В.Н.	Разработка условий жидкофазной эпитаксий гетерострктур на основе твердных растворов Ga In As Sb для оптоэлектронных устройств. 1987
35	Данилкин Е.В.	Исследование и оптимизация процесса реактивноионного травления углублений в кремний для формирования мелкощелевой изоляций. 2008
36	Дворников С.А.	Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов плёнок на их основе, полученых золь-гель методом. 2001
37	Дикевич А.А.	Разработка и исследование волоконно-оптических датчиков влажности газов. 2009
38	Добрынин А.В.	Разработка физико-химических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия твердных растворов на его основе. 1986
39	Добрынин А.В.	Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галиия из газобой фазы. 2001
40	Дьячков С.А.	Разработка и исследование технологический процессов анодного сращивания полупровотниковых стурктур. 2000
41	Емельянов Ю.А.	Оптимизация технологии изготовления мощных транзисторов на основе эпитаксиальных структур кремния. 1986
42	Епимахов И.Д.	Оптимизация условий выращивания и исследование «третьего « компонета в процессах получения совершенных монокристалов кремния методом Чохральского для СБИС. 2003
43	Жлезнякова А.В.	Разработка метода молекулярного наслаивания для синтеза сверхтонких плёнок халькогенидов металла. 2007
44	Зайдман С.А.	Разработка и оптимизация технологии изготовления многоуровневых коммутационных плат на большеразмерных металлодиэлектрических подоложках. 1992
45	Залкинд Я.Г.	Физико-механические свойства кремиевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники. 2005
46	Зиновьев Д.В.	Разработка интегральных термосенсоров на основе монокристаллической кремниевой фольги и исследование их характеристик. 1999
47.	Ильяшева Е.В.	Разработка стекловидного материала с низкой диэлектрической  проницаемостью для толстопленочных элементов ГИС. 1999
48.	Калугин В.В.	Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур на изоляторе. 2001
49.	Калугин В.В.	Физико-технологические спасовы получения многослойных структур для ИС и элементов МЭМС. 2008
50.	Каплунов И.А	Выращивание, оптические свойства и дислокационная структура кристаллов германия для инфракрасной оптики. 2006
51.	Караев А.К.	Разработка методов улучшения электрических характеристик толстопленочных резисторов на основе наноразмерных части диошда рутения и свинцово-боро-шликатного стекла.2006
52.	Каратунов Ю.В	Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве проборов электронной техники. 2003
53.	Каримов Ф.Ч.	Разработка технологии получения текстркрованных пленок теллура, висмута и храма для анизотропных темаэлектрических преобразотелей. 1985
54.	Киселев В.А	Электрохимическое формирование диэлектрических и проводниковых слоев для технологии электронных устройств. 1986
55.	Клеванова Н.А	Влияние неоднородностей эпитаксиальных слоев асернида галлия на свойства анодных оксидных пленок и электрофизические параметры полупроводниковых приборов. 1984
56.	Климовицкии А.Г.	Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации  СБИС субмикронного уровня. 2004
57.	Ковалев А.А.	Научные основы создания ресурсосберегающих технологий очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов. 2007
58.	Ковалев А.А.	Научные основы создания ресурсосберегающих технологии очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов. 2007
59.	Козлов Ю.Ф.	Технологические основы производства кремниевых пластин и структур для интегральных схем детекторов ядерных частиц. 2002
60.	Коркишка Ю.Н.	Ионообменное легирование ниобата лития для получения светаводных элементов интегральный оптики. 1987
61.	Краснов Д.М.	Разработка технологии изготовления пленочных анизотропных термоэлектрических преобразователей на основе медноникелевых сплавов. 1988
62.	Короленко Е.В.	Разработка методического и приборного обеспечения испытании радиоэлектронных средств на искустические воздействия. 1998
63.	Копейнки А.Н.	Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники. 2003
64.	Криворучка М.М.	Повышение износостойкости деталей технологического оборудования методами имено-плазменного населения. 1987
65.	Куцев М.В.	Исследование методов повышение качества полупроводникого кремния при выращивание и обработки монокристаллов. 2000
66.	Левченко В.М.	Упруго-пластические и разрывные реакции при механической обработке арсенида галлия. 1992
67.	Локтев Д.В.	Разработка конструкции и технологии микроэлектронных приборов толного измерения параметров газовых сред. 2007
68.	Лысенко Л.Н.	Исследование нейтральных примесей компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния. 2001
69	Люкшин Ю.А	Разработка и исследование способов снижения привношмого аэрозольного загрязнения  манипуляционным оборудованием  микроэлектроники .1990.
70	Мазуров.А.В	Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе а-Si:H и его сплавов. 2004.
71	Макаров.А.С	Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании. 2000.
72	Макеев М.Х	Влияние третьего компонента на распределение дефектов и примесей в бездислокационных монокристаллах кремния для интегральных схем. 1998.
73	Мальвинова. О.В	Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений А В современной точности обработки. 2003.
74	Мальцев. В.П	Адгезия фоторезистор и её влияние на процессы фотолитографии. 1999.
75	Мареха  В.Н	Физико-химические основы технологии электроннофоретического нанесения стекловидных покрытий на металлы для изделий электронной техники. 1986.
76	Масленников. Е.Н	Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магниякристаллах ниобама лития. 2004.
77	Маслов. А.И	Разработка способа и технологии нанесения углеродных алмазоподобных покрытий на спецоснастку и изделия электронной техники. 1987.
78	Миркурбанов Х.А	Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нём теплофизических и физико-механических процессов. 2005.
79	Мьо Хейн Зо	Разработки и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках не круглой формы. 2008.
80	Назаров. Н.Г	Химическая и фотоэлектрохимическая обработка полупроводниковых соединений для технологии электронных приборов и интегральных микросхем. 1990.
81	Никитенко. В.А	Влияния имплантированных примесей на свойства диэлектрических покрытий полупроводниковых материалов. 1988.
82	Овчинников. В.А	Разработка и исследование технологического процесса , режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве. 2009.
83	Осипенкова. Н.Г	Исследование и разработка высокомарганцевых стекол для толстоплёночных резисторов, не содержащих драгоценных металлов. 1998.
84	Павлов. А.С	Исследование и разработка технологии и конструкции кремниевых солнечных элементов. 1997.
85	Подерин. Е.М	Разработка технологии изготовления и исследование многофункциональных интегрально-оптических элементов (МИОЭ).
86	Перелыгин. Н.З	Разработка и исследование технологии осаждения многокомпонентных стекловидных пленов методом ВЧ-магнетронного распыпения со смещением для БГИС АПОН 4-5 поколений. 1992.
87	Пискунова. М.Г	Влияние операции изготовления  попупроводниковых приборов на свойства поверхности арсенида галлия. 1992
88	Попов. А. А	Низкочастотный  тлеющий разряд  и  механизмы  роста в нем пленок  а-  Si:H   b  сплавов на  его  основе. 1999
89	Райцын Е. Р	Создание  пьезоэлектрических  гетероструктур  на  основе  нитрида   алюминия  методом  реактивного  испарения. 1987
90	Редин. В. М	Научные  основы  проектирования  и  эксплуатации  межоперационных  транспортных  средств  и   чистых  технологических  объемов  для  производства  изделий  микроэлектроники .1992
91	Редичев . Е. Н	Размерный эффект   плавления   тонких  медных  пленок  и  его  использование  для  формирования  межсоединений  кремниевых  СБИС. 2006
92	Рощин. В. М	Формирование  и  исследование   свойств  тонких  пленок  вольфрама,  полученных  при  импульсной  конденсации  электроэрозионной  плазмы. 1997
93	Рощин. В. М	Формирование   сверхтонких  пленок  и  наногетерогенных  структур  на  основе  метода  импульсной  конденсации  электроэрозинной  плазмы. 2003
94	Русаков. Д. Н	Молекулярно - лучевая   эпитаксия   гетероэпитак  сальных  структур    SiGe/Si. 2003
95	Рыгалин. Б.Н	Управление  свойствами  попупроводникого  кремния  на  основе   взаимодействия   легирующих  примесей  в  процессах  выращивания   и  обработки   кристаплов. 2004
96	Рыжов. М. В	Разработка  процесса  получения  ВТСП пленок  для  устройства   функциональной   электроники. 2003
97	Рябышенков. А. С	Разработка  методов  расчета  элементов  рециркуляционных  контуров  в  частых  помещениях. 1994
98	Сазонов. Г. Ю	Микроструктурная  неоднородность  и  термическая  стабильность  пленок   а-Si:H         и  сплавов  на  его  основе . 1997
99	Сазонова. Г. А	Разработка  технологии  обработки  поверхности   полупроводников  и   методик  анализа  химического  состава  оксидных  пленок  для  производства  интегральных  схем. 1989
100	Самойликов. Р.В.	Исследование эксплуатационных характеристик теплообленных систем оборудования полупроводникового производства.2004
101	Семенин С.Н.	Иследование и разработка прогреиивний технологии прецизионных гибких полиимидных млейфов для высокоплотного монтажа.2006
102	Семенов О.Ю.	Разработка и исследование технологии изготовления структур “кретний на изоляторе” с применением избирательного химического травления.1996
103	Сергеева Ж.М.	Влияние взаммодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии.1994
104	Симунин М.М.	Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методам каталитического пиролиза этанола.2009
105	Степанюк В.В.	Исследование условий жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaInPAs/GaPAs для излучателей видимого спектрального диапазона.1998
106	Самойликов В.К.	Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния прозводства СБИС.1996
107	Тарасов Р.Ю.	Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик прибаров и оборудования для высокоточных температурных технологий.2003
108	Терашкевич И.М.	Исследование и разработка технологии химической очистки пластин кремния для МЭМС и интегральных схем субмикронного уровия.2006
109	Тимошенков С.П.	Синтез диэлектрических многокомпонентных материалов в высокочастотной плазме и исследование их свойств.1994
110	Тимошеннов С.П.	Технология фармнрования структур “кремний на изоляторе”.2004
111	Турилин С.М.	Экспериментальные исследования и численное моделирование гозодинамических течений в процессах газофазной эпитаксии кремния.1996
112	Тюрнев Н.В.	Применение зондирующего СВЧ Электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников.2000

Share